Оборудование

Маскированная диффузия

Маскированная диффузияНа этом высокотемпературные технологические этапы производства полупроводниковых областей кончаются, оставляя покрытую слоем двуокиси кремния (толщиной около 1 мкм) пластинку монолитного кремния, содержащую транзисторы и перемыкающие каналы. Прочитать остальную часть записи »

Диодно-транзасторная логика (ДТЛ)

Диодно-транзасторная логика (ДТЛ)Типичный клапан ДТЛ образует схему НЕ-И для положительных сигналов или схему НЕ-ИЛИ для отрицательных сигналов. Когда один из выходных транзисторов предыдущих клапанов, подсоединенных ко входам клапана, включен, то потенциал точки А оказывается выше потенциала эмиттера на величину напряжения коллектор — эмиттер этого включенного насыщенного транзистора предыдущего каскада плюс падение напряжения на подсоединенном к этому входу диоде Ml от тока, проходящего через резистор Rb — При этом, благодаря наличию запертых диодов смещения цепи возбуждения базы, выходной транзистор клапана Т будет выключен. Прочитать остальную часть записи »

Многоотверстные элементы

Многоотверстные элементыПоверхность пластинки очищают от пасты и металлизируют с помощью вакуумного напыления медью толщиной 0,0125 мм. На металлизированной пластинке фототравлением образуют проводящие дорожки, соединяющие проводящие каналы в] феррите с торцом пластинки. Все проводники на пластинке гальваническим путем покрывают низкотемпературным припоем, а пластинки собирают как мозаику на плате. Прочитать остальную часть записи »

Результаты испытаний

Результаты испытанийЕще одной интересной особенностью подобного типа плат является возможность использования монтажа внешних соединений методом навивки. Для этой цели в отверстия основной соединительной (материнской) панели 2 вставляются металлические втулки с внешним штырем.

Прочитать остальную часть записи »

Интегральная схема

Интегральная схемаТаким образом, применение интегральных схем позволяет проектировщикам ЦВМ использовать в качестве основных исходных строительных кирпичей не отдельные транзисторы, резисторы и конденсаторы, а целые интегральные схемы функциональных элементов и, благодаря этому, на порядок снизить число используемых электронных приборов и число паяных, сварных и разъемных межсхемных соединений, что приводит к соответствующему увеличению надежности ЦВМ. В то же время надежность самих этих строительных кирпичей, благодаря применению процессов массового производства и отсутствию большого числа ненадежных межсхемных соединений, будет на порядок повышена. Можно предположить, что уже в конце 60-х годов начнется следующий этап микроэлектроники ЦВМ — этап интегральных подсистем.

Прочитать остальную часть записи »