Сопротивление области

Сопротивление областиЭпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов. Прочитать остальную часть записи »

Максимальная ширина

Максимальная ширинаДля более высоких скоростей вращения необходим источник на частоту 400 гц. Конструктивно крепление двигателей выполнено с таким расчетом, что смена их или ремонт занимает не более 30 мин при минимальном количестве применяемого инструмента. Прочитать остальную часть записи »

Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Прочитать остальную часть записи »

Впускные отверстия

Впускные отверстияМаксимальная ширина дорожки равна 0,76 мм, ширина пространства между дорожками, таким образом, составляет величину 0,5 мм. Эти параметры сводят до минимума взаимное влияние дорожек. Все синхронизирующие и служебные дорожки физически изолированы от остальных запоминающих дорожек.

Прочитать остальную часть записи »

Индуктивные компоненты

Индуктивные компонентыПлоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Прочитать остальную часть записи »

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →