Запоминающие устройства

Запоминающие устройстваВпускные отверстия размещаются на верху кожуха и в верхней плите барабана. Выходные отверстия созданы в виде прорезей в базовой плите барабана и отверстий в низу кожуха. Воздух протягивается через сборку посредством изогнутых радиальных щелей в базовой плите барабана.

Так как барабан вращается, то конфигурация этих щелей в виде вентилятора превращает базовую плиту как бы в крыльчатку.

Совместно с тепловой изоляцией, окружающей всю конструкцию, система циркуляции воздуха обеспечивает барабану и кожуху одинаковость температуры в течение всего времени работы устройства.

Магнитные барабаны серии L-500 удовлетворительно работают при колебаниях температуры окружающей среды от -40 до +70° С, выдерживают тепловой удар до 28° С при скорости изменения температуры 4° С/мин. Все материалы, допуски, посадки и конструктивные пропорции выбраны так, чтобы скомпенсировать эффекты температурных различий, вибраций и механических ударов, которым ЗУБ могут быть подвергнуты в процессе эксплуатации. В своих барабанах фирма GP применяет цилиндрические головки чтения-записи.

Их размеры практически не меняются во всем диапазоне рабочих температур.

Каждая головка удерживается специальным зажимом, который предотвращает всякое движение головки. Точность установки обеспечивается прецизионными дисковыми индикаторами, которыми воздействуют при установке на направляющий конец головки.

Вся система установки и крепления головки также компенсирует центробежные и температурные изменения размеров барабана относительно его кожуха. Размещение головок таково, что шаг дорожек составляет 1,26 мм.

Если вы делаете ремонт в детской комнате, первое, что вам нужно будет — это детская кровать, которую смотрите на сайте mebli-zakaz.ua.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →