Впускные отверстия

Впускные отверстияМаксимальная ширина дорожки равна 0,76 мм, ширина пространства между дорожками, таким образом, составляет величину 0,5 мм. Эти параметры сводят до минимума взаимное влияние дорожек. Все синхронизирующие и служебные дорожки физически изолированы от остальных запоминающих дорожек.

В значительной степени своей надежностью и конструктивной простотой барабаны фирмы GP обязаны подшипниковому узлу.

Вращаясь около вертикальной оси, каждый барабан опирается на два предварительно нагруженных прецизионных шарикоподшипника с угловым контактом, имеющим жировую смазку, со сроком службы 10 лет при непрерывной работе со скоростью 3600 об/мин. Магнитные барабаны GP приводятся в движение индукционными электромоторами, устанавливаемыми в ребристый кожух, привернутый к верхней подшипниковой плите барабана. При этом муфты или какие-нибудь другие устройства передачи движения исключаются.

Вал мотора является также верхним валом всей сборки, связанной с барабаном. Охлаждение моторов создается воздухом, продуваемым через верхние и нижние отверстия кожухов небольшим четырехлопастным вентилятором, смонтированным на верху вала двигателя.

Для двигателей со скоростями вращения от 900 до 3600 об/мин частотой 60 гц требуется напряжение питания 115 б при одной фазе и 220 в при трех фазах.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →