Сопротивление области

Сопротивление областиЭпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов. Эпитаксиальный метод позволяет сначала продиффундировать в кремниевую пластину из исходного материала р-типа сильно легированные слои, которые могут затем служить в качестве утопленных внутрь слоев кремния с высокой проводимостью в коллекторных областях транзисторов, обеспечивая снижение коллекторного напряжения транзисторов в режиме насыщения.

Вместо фосфора в этом случае должны использоваться другие легирующие примеси, имеющие малую скорость диффузии, обеспечивающую стабильное положение утопленного во время последующих операций эпитаксиального выращивания и диффузии.

Кроме того, утопленный слой п+-типа может выращиваться и эпитаксиально.

В этом случае он образуется на всей поверхности кремниевой пластины с проводимостью р-типа.

После образования утопленных слоев па всей поверхности кремниевой пластины производится эпитаксиальное выращивание слоя и-типа, а затем сверху производится диффузия изолирующих границ р+-типа, образующих островки, изолированные смещенными в обратном направлении р-п переходами. Однако в сравнении с первым методом изоляции требуемая глубина диффузии р-типа значительно уменьшается, что приводит к укорочению времени диффузии и уменьшению площади, занимаемой изоляцией.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →