Полевые транзисторы

Полевые транзисторыНесмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например, изготовленная двумя эпитаксиальными выращиваниями и четырьмя диффузиями. Металл-окисно-полупроводниковые (МОП) транзисторы. Отличительной чертой интегральных планарных металл-окисно-полупроводниковых полевых транзисторов, является наличие металлического затвора, изолированного от полупроводниковой кремниевой пластины, в которой формируется канал, слоем двуокиси кремния.

Имеется два вида МОП транзисторов: с обогащением и с обеднением канала. МОП транзистор с обогащением, иногда называемый нормально выключенным, состоит из двух сильно легированных областей (истока и стока), расположенных рядом друг с другом в материале с проводимостью противоположного типа.

Область между истоком и стоком образует канал, покрытый сверху для изоляции слоем двуокиси кремния, на котором находится металлизированная область затвора, перекрывающая весь канал. При отсутствии напряжения на затворе исток и сток образуют два направленных в разные стороны диода, в результате чего имеется мало носителей и ток канала ограничивается утечками диодов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →