При этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Действительно, для изготовления интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ь изолированного острова также могут быть взяты равными 70 и ПО мкм. Тогда при глубине диффузии х,- = 30 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния и на поверхности изолированного острова полная емкость изолированного острова относительно подложки составит всего 3 пф. Изоляция этого типа может выдерживать высокое пробивное напряжение, если у поверхности, обладающей высоким сопротивлением области р-типа, не возникает инверсного слоя или канала.
Чтобы избежать их возникновения, необходимо продиффундировать вокруг изолированного острова дополнительный слой р-типа, так называемое защитное кольцо.
Обычно такая область диффундируется не отдельно, а во время последующих диффузий, используемых для изготовления транзисторов; это, однако, приводит к некоторому снижению пробивного напряжения и увеличению емкости перехода.
Если вам необходимо автосервисное оборудование по доступной цене, обращайтесь в нашу компанию.
При данном способе изоляции достигается лучшее использование поверхности кремния, поскольку площадь, занимаемая изолирующей областью, определяется помимо размеров изолируемых компонентов только допусками, требуемыми для поддержания глубины диффузии.