Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Действительно, для изготовления интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ь изолированного острова также могут быть взяты равными 70 и ПО мкм. Тогда при глубине диффузии х,- = 30 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния и на поверхности изолированного острова полная емкость изолированного острова относительно подложки составит всего 3 пф. Изоляция этого типа может выдерживать высокое пробивное напряжение, если у поверхности, обладающей высоким сопротивлением области р-типа, не возникает инверсного слоя или канала.

Чтобы избежать их возникновения, необходимо продиффундировать вокруг изолированного острова дополнительный слой р-типа, так называемое защитное кольцо.

Обычно такая область диффундируется не отдельно, а во время последующих диффузий, используемых для изготовления транзисторов; это, однако, приводит к некоторому снижению пробивного напряжения и увеличению емкости перехода.

Если вам необходимо автосервисное оборудование по доступной цене, обращайтесь в нашу компанию.

При данном способе изоляции достигается лучшее использование поверхности кремния, поскольку площадь, занимаемая изолирующей областью, определяется помимо размеров изолируемых компонентов только допусками, требуемыми для поддержания глубины диффузии.

Комментарии запрещены.