Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Действительно, для изготовления интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ь изолированного острова также могут быть взяты равными 70 и ПО мкм. Тогда при глубине диффузии х,- = 30 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния и на поверхности изолированного острова полная емкость изолированного острова относительно подложки составит всего 3 пф. Изоляция этого типа может выдерживать высокое пробивное напряжение, если у поверхности, обладающей высоким сопротивлением области р-типа, не возникает инверсного слоя или канала.

Чтобы избежать их возникновения, необходимо продиффундировать вокруг изолированного острова дополнительный слой р-типа, так называемое защитное кольцо.

Обычно такая область диффундируется не отдельно, а во время последующих диффузий, используемых для изготовления транзисторов; это, однако, приводит к некоторому снижению пробивного напряжения и увеличению емкости перехода.

При данном способе изоляции достигается лучшее использование поверхности кремния, поскольку площадь, занимаемая изолирующей областью, определяется помимо размеров изолируемых компонентов только допусками, требуемыми для поддержания глубины диффузии.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →