Металлизированные сквозные отверстия

Металлизированные сквозные отверстияРазница для этих двух типов многослойных элементов состоит в том, что при металлизации сквозных отверстий они проходят насквозь через всю панель, а в случае последовательного процесса отверстия являются слепыми, т. е. существуют только между двумя смежными слоями. Для химического осаждения имеются растворы, образующие достаточный слой на таких изоляционных материалах, как стеклоэпоксид. Однако адгезия этих слоев с электролитической медью неудовлетворительна.

Исследовательские работы по изучению методов улучшения адгезии были предприняты, в частности, и потому, что металлизация слепых отверстий ввела еще более строгие требования.

Хорошее сцепление между полученным методом химического осаждения медным осадком и медной фольгой может быть только в том случае, если предварительно выполнены операции специального обезжиривания и активации. Одним из методов, который может обеспечить получение удовлетворительных результатов, является оксидирование меди до окиси меди, с последующим восстановлением этого оксида с помощью восстанавливающего агента в растворе для химического покрытия с катализатором.

Выбор ванны для электролитического нанесения меди зависит от микрорассеивающей способности растворов для электролитического осаждения в малых отверстиях. Этому требованию удовлетворяют пирофосфатные и кислые медные составы электролитов.

Хорошее перемешивание раствора, соответствующие плотности тока, ежедневные анализы и необходимое изменение растворов — все эти факторы существенны для получения высококачественных электрических соединений в малых отверстиях для многослойных плат и панелей.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →