Запоминающие матрицы ортокор

Запоминающие матрицы ортокорОставшемуся пластику с заключенными в нем проводниками придается форма решетки, составленной из пересекающихся под прямыми углами цилиндров равного диаметра и с осями, расположенными в одной плоскости (решетка может состоять и из стержней прямоугольного сечения). Затем вся конструкция покрывается путем химического осаждения тонкой магнитной пленкой, получаемой восстановлением никеля и кобальта из гипо-фосфита.

Химический состав получающейся пленки следующий: 35% Со, 63% Ni и 2% Р. Такой состав позволяет получать пленки с коэрцитивной силой, регулируемой в пределах от 0,2 до 5 э. Этим методом обеспечивается высокая однородность покрытия как по составу, так и по толщине.

Сама толщина также хорошо контролируема и может быть сделана от 1000 до 500 000 А при скорости нанесения 2000- 4000 А/мин. Запоминающая матрица ортокор может быть использована в различных системах организации памяти: системе совпадения токов, типа Z, с неразрушающим и разрушающим считыванием.

Для получения ЗУ последнего типа матрица должна быть охвачена дополнительными проводниками. Одним из способов получения чтения без разрушения является образование монолитной биаксовой матрицы путем прошивки отверстий ортокора проводниками; при этом как бы вводятся в матрицу сердечники, ортогональные сердечникам решетки.

Другой способ получения чтения без разрушения состоит в охвате ортокора шинами слова, являющимися соленоидами, внутри которых заключены сердечники разрядов. При пропускании тока по соленоиду векторы намагниченности сердечников отклоняются от оси легкого намагничивания, и на обмотках, перпендикулярных плоскости соленоида, появляются э. д. с, полярность которых свидетельствует о содержащейся информации в данном разряде.