Режим частичного переключения

Режим частичного переключенияДвухпроводные ЗУ являются наиболее перспективными как с точки зрения технологичности их изготовления, так и с точки зрения их миниатюризации и, следовательно, увеличения быстродействия. Сердечники с размерами 1,27×0,25 мм были изготовлены (RCA-США) специально для применения в двухпроводном ЗУ типа Z при новой технологии сборки матриц.

Эта новая технология основана на изготовлении одной обмотки печатным способом, а другой — с помощью прошивки отверстий сердечников проводами.

Печатной может быть как обмотка чтения-записи слова, так и считывания — записи разряда.

Процесс сборки матрицы состоит из четырех этапов: металлизации каждого сердечника, механизированной сборки ферритов в ленты и образования проводящих дорожек между сердечниками, металлизации ленты для соединения проводящих дорожек с металлизированными сердечниками и сборки лент в матрицы.

Первый этап представляет собой сравнительно простую операцию вакуумной металлизации плоских торцевых частей сердечников и стенок внутренних отверстий. Сборка металлизированных сердечников в ленты производится с помощью пластика, на котором методом фототравления образуются проводящие участки, соединяющие металлизированные торцы соседних сердечников.

Конечной операцией сборки ленты в матрицы является гальваническое покрытие медью участков ленты, образующих проводящие пути от одного сердечника к другому, для создания надежного контакта между проводниками на пластике и металлизированными сердечниками.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью