Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Применение чтения

Применение чтенияЗначительных успехов в уменьшении управляющих токов добилось отделение Univac фирмы Sperry Rand. Были созданы запоминающие матрицы, состоящие из плоских пленок, на 64 слова по 24 разряда каждое с током чтения 30-40 ма при времени переключения потока в пленке 10 нсек. Выходной сигнал равнялся при этом ж0,1 мв. Магнитный поток одной пленки составляет 0,2 ммкс.

Пленка имеет круглую форму, ее диаметр 0,13 мм, толщина 200 А. Матрицы изготовлялись методом вакуумного напыления как металлических, так и изолирующих слоев без нарушения вакуума.

Всего было осаждено последовательно четыре металлических и три изолирующих металлических слоя. Металлическими слоями являются магнитная пленка и три управляющих проводника.

Матрица построена по принципу линейного выбора при двух запоминающих элементах на разряд.

Длина самого длинного проводника составляет 3,43 см, ширина 0,01 см. Проводники изготовлялись из алюминия и имели при этой длине сопротивление 5 ом. Точность изготовления проводников по длине составляла 5 мкм. Для осаждения материалов применялись никелевые маски со специальным маскодержателем, приспособленным для удобной смены масок в ходе технологического процесса.

Изоляционные слои кремниевого моноксида делались толщиной около 3 мкм, проводники — около 2 мкм. Конструкция запоминающей ячейки типична для памяти, организованной по типу Z. Считывающая линия и разрядная линия записи сделаны в виде противоположно направленных петель, охватывающих обе пленки одной ячейки.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.