Поперечное сечение металлизированного отверстия

Поперечное сечение металлизированного отверстияВ качестве изолирующего материала для слоев использован стеклоэпоксид толщиной около 100 мкм, металлизированный медной фольгой толщиной 35-70 мкм. Общая толщина всей платы зависит от числа слоев и имеет допуск 125 мкм. Законченная плата не имеет коробления или изгибов более чем на 1%. Все слоеные платы имеют исключительно равномерную структуру и одинаковые характеристики. Сопротивление изоляции между двумя проводниками составляет не менее 50 Мом при подаче напряжения постоянного тока 100 в течение 1 мин. Минимальное значение испытательного напряжения между двумя проводниками составляет 1000 в переменного или постоянного тока в течение одной минуты.

Среднее значение диэлектрической постоянной подложки на частоте 1 Мгц около 5,8. Плата выдерживает в течение 4 час нагрев до температуры + 150 : 5° С без появления вздутий, отслоений или каких-либо других признаков разрушения. Плата обеспечивает возможность пайки волной или погружением и выдерживает этот процесс в течение максимум 10 сек при температуре 260+3° С без появления вздутий, отслоений или каких-либо других признаков разрушения.

Кроме того, плата может выдерживать удаление и замену любого отдельного компонента до десяти раз; при этом нагрев не оказывает каких-либо вредных воздействий, если используется специальный паяльник мощностью 37,5 вт и соблюдаются различные меры предосторожности.

Совмещение слоев по рисункам схем с внешним контуром или слоя со слоем должно быть не хуже 125 мкм от центра совмещения.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью