Получение тонких магнитных пленок

Получение тонких магнитных пленокОдним из особенно ценных качеств пленок является возможность построения сравнительно простыми способами ЗУ с чтением без разрушения информации, что значительно увеличивает быстродействие системы путем исключения из цикла обращения времени на регенерацию информации и успокоение схем после регенерации. Применение чтения без разрушения на плоских однослойных пленках стало особенно эффективным после введения в последнее время постоянного смещающего поля, значительно повысившего устойчивость выходных сигналов (Burroughs), и использования энергии вихревых токов для улучшенного возврата намагниченности в прежнее состояние (IBM). Целый ряд фирм в настоящее время использует или анонсировал применение в своих вычислительных машинах как больших, так и малых ЗУ на пленках сравнительно невысокой стоимости.

К ним относятся: NCR, разработавшая память на родах емкостью 960 000 бит с циклом обращения 800 нсек; TI — емкостью 200 000 бит с циклом 150 нсек; Burroughs — память на 16 384 числа с циклом 500 нсек; Univac — память на 1024 числа по 24 разряда каждое с циклом 100 нсек; Honeywell — модули памяти по 2048 чисел 36-разрядных с циклом обращения менее 1 мксек и возможностью чтения без разрушения, Fabritek и т. д. Одним из основных недостатков ЗУ на пленках до недавнего времени было высокое требование возбуждения, что затрудняло использование пленок в миниатюрных вычислительных машинах на интегральных схемах и не позволяло фактически полностью реализовать возможности пленок в этом отношении.