Отношение периметра

Отношение периметраВ начале разработки машины D37B была реализована исследовательская программа методов производства многослойных печатных плат, которые не требовали бы сверления сквозных отверстий в плате для получения межслойных соединений и оставляли бы всю поверхность платы свободной для монтажа компонент. Результатом этой работы явилась многослойная плата с межслойными соединениями так называемого последовательного типа. Эта плата изготавливается путем последовательного наращивания слоев изоляции и схем на каждую сторону обычной двусторонней Печатной платы, являющейся сердечником конструкции.

Необходимые соединения между слоями схем выполняются во время процесса наращивания (слепые отверстия). Такие соединения не требуют механического сверления сквозных отверстий для изготовления внутренних межслойных соединений.

На двух крайних внешних слоях платы предусмотрены монтажные пятачки для присоединения ленточных выводов плоских корпусов интегральных микросхем и проволочных выводов дискретных компонентов путем простого наложения этих выводов на поверхность монтажных пятачков и припайки к ним. Для изготовления основной соединительной панели был выбран метод производства многослойных печатных плат, использующий металлизацию сквозных отверстий.

Панель содержит 14 схемных слоев, соединенных между собой с помощью металлизации сквозных отверстий, которые обеспечивают также разъемное соединение со всеми модульными платами.

Это позволяет производить функциональную проверку каждой платы до полной сборки машины в целом.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →