Металлизация плоских торцевых частей

Металлизация плоских торцевых частейПри этом вдоль ленты образуется единый проводник, пронизывающий все сердечники данной ленты. Затем готовые ленты располагаются отверстиями сердечников друг против друга и прошиваются в перпендикулярном направлении изолированными проводниками.

Получившиеся выводы закрепляются на рамке, и таким образом образуется матрица ЗУ. Были созданы матрицы, содержащие 2048 сердечников, для применения в двухпроводном ЗУ как с двумя сердечниками, так и с одним сердечником на разряд. Большинство операций при изготовлении было механизировано.

Стоимость сборки матрицы значительно снижена по сравнению с прошивкой старым способом. На базе этих матриц могут быть сконструированы компактные ЗУ, способные выдерживать значительные механические перегрузки.

Плотность размещения информации может составлять 120 разрядов/см3. Цикл обращения к ЗУ — равен 300 нсек. Параметры возбуждения матриц при температуре +25° С. При использовании одного сердечника на разряд сигнал неразрушенной 1 составляет 140 мв, разрушенного 0 составляет 30 мв. При двух сердечниках на разряд сигналы биполярны и составляют ±140 мв. Длительность выходных сигналов равна 75 нсек.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью