Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Линии задержки

Линии задержкиЛинии задержки (ЛЗ) представляют собой плоские многоугольники из стекла, имеющие монокристаллические кварцевые входные и выходные преобразователи. Арифметический узел машины и его управление используют одну линию задержки, которая хранит содержимое пяти регистров рециркуляционным способом с перемежением информационных разрядов. Несущая частота составляет 20 Мгц, частота одного регистра равна 4 Мгц. В буферной памяти используются восемь стеклянных линий задержки для хранения 260 слов по 28 разрядов каждое.

ЗУ на линиях задержки, представляя собой устройства с последовательным обращением, позволяют снизить стоимость, объем и вес на единицу информации, что является характерным для ЗУ с подвижным носителем запоминания: магнитной ленты, барабана, дисков и проволоки. В то же время ЗУ на линиях задержки не имеют механически подвижных элементов и тем самым значительно упрощают задачу построения ЗУ последовательного типа повышенной надежности.

В этом отношении очень интересными являются работы по созданию ферро-акустического, которые позволяют сказать, что при использовании трубок из железоникелевого сплава может быть достигнута плотность размещения информации 4 единицы на 1 мм3 при скорости считывания в 1 Мгц. Разработка и применение для этих целей тонких магнитных пленок приведет к повышению упомянутых выше параметров, по крайней мере, на порядок.

Ферро-акустические линии задержки свободны от главного недостатка, присущего обычным линиям задержки и заключающегося в необходимости цепей регенерации и рециркуляции информации, которые, по существу, являются основным ограничителем при использовании ЛЗ.

Комментарии запрещены.