Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Конструкция запоминающей ячейки

Конструкция запоминающей ячейкиЭто дает возможность использовать дифференциальные усилители и успешно бороться с паразитными связями между управляющими линиями и цепями считывания. На таких матрицах разрабатывается ЗУ на 256 24-разрядных слов. С полными схемами возбуждения и считывания на интегральных компонентах такое устройство будет занимать объем 8 см3. Фирма Univac широко применяет тонкопленочные ЗУ в разрабатываемых ею машинах.

Для большой машины Univac-1107 была разработана память на 128 36-разрядных слов с циклом обращения 500 нсек. Бортовая вычислительная машина Univac-АДД имеет ЗУ на элементах бикор без разрушения информации при чтении емкостью 6656 слов по 24 разряда.

Время обращения при чтении составляет 700 нсек, при записи 3 мксек.

Элемент бикор состоит из двух круглых пленок (запоминающей и считывающей), наложенных одна на другую, их оси легкого намагничивания параллельны.

Запоминающая пленка изготавливается из высококоэрцитивного материала, считывающая из низкокоэрцитивного. Запись информации производится путем намагничивания в соответствующем направлении (0 или 1 информации), параллельном оси легкого намагничивания, запоминающей пленки.

Поле запоминающей пленки намагничивает считывающую пленку.

При чтении схемой управления создается поле, недостаточное для переключения запоминающей пленки, но переключающее считывающую пленку.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.