Задержка распространения

Задержка распространенияВремя задержки распространения зависит не только от типа цифровой интегральной схемы, но и от особенностей ее включения и окружающих условий. Поэтому измерять его нужно при температуре и напряжениях питания, соответствующих наихудшим условиям, которые могут возникнуть в реальной цифровой системе.

Обычно при измерениях используются сигналы, предварительно прошедшие через несколько стандартных цифровых интегральных схем, а нагрузки и паразитные емкости на входах и выходах интегральной цифровой логической схемы, у которой производится измерение времени задержки распространения, выбираются соответственно условиям наихудшего случая. К числу других важных параметров, которые используются для оценки свойств цифровых интегральных схем, относятся величины питающих напряжений и рассеиваемой мощности.

Под питающими напряжениями обычно понимаются рекомендованные уровни питающих напряжений, обеспечивающие надежную работу цифровой интегральной схемы и получение указанных в спецификации характеристик. При этом, как правило, указываются допуски на величину питающих напряжений, при которых нормальная работа цифровых интегральных схем не нарушается.

Рассеиваемая цифровой интегральной схемой мощность указывается обычно для рекомендованных питающих напряжений, причем указывается или средняя рассеиваемая мощность, или мощность, рассеиваемая для каждого логического состояния. Очень часто рассеиваемая мощность зависит от нагрузки, подсоединяемой к выходу цифровой интегральной схемы.

В этом случае указывается величина рассеиваемой мощности на эквивалентную единичную нагрузку.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью