Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Выходные сигналы клапана

Выходные сигналы клапанаВыходные сигналы клапана U01 и Uo2 снимаются с двух эмиттерных повторителей на транзисторах Ti и Т2, один из которых присоединен к коллекторному резистору первого переключателя тока, а второй — к коллекторному резистору RK2 второго переключателя тока. Эмиттерные повторители, с одной стороны, имеют низкий выходной импеданс (около 22 ом), обеспечивающий получение большого разветвления на выходе (более 25), и относительную независимость выходных уровней напряжения от нагрузки. С другой стороны, они смещают выходной уровень напряжения на эмиттере относительно входного уровня напряжения на базе на величину напряжения база — эмиттер кремниевого интегрального транзистора типа п-р-п, т. е. примерно на 0,75 в, обеспечивая получение уровней выходного напряжения U01 и U02, совместимых с требованиями входных сигналов, подаваемых на базы входных транзисторов клапана Т4, Тъ и Тл. Выходные напряжения клапана ТЛЭС зависят от напряжения питания и напряжения смещения, которые могут быть сделаны очень точными и стабильными, от напряжения база — эмиттер кремниевых интегральных транзисторов типа п-р-п, которое примерно равно 0,75 в и имеет разброс всего около 0,1 в, и от отношения сопротивлений резисторов RK/R, которое может выдерживаться в интегральных схемах с точностью до 1%, хотя сами резисторы трудно изготовить с сопротивлениями, имеющими разброс меньше 20%. Поэтому получающиеся в результате входные и выходные уровни напряжений, а также напряжения на коллекторах транзисторов переключателей тока в схемах клапанов цифровых интегральных схем транзисторной логики с эмит-терными связями обладают высокой стабильностью и мало зависят от условий включения и окружающих условий.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.