Увеличение термостабильности свойств

Увеличение термостабильности свойствСледует отметить, что возможности литиевых ферритов еще далеко не исчерпаны. Исследования показывают, что путем различных комбинаций составов с добавлением небольших количеств других компонентов и соответствующей термообработкой могут быть получены ферриты со значительно улучшенными свойствами не только по термостабильности, но и по прямоугольности петли гистерезиса, и по скорости переключения при уменьшении мощности возбуждения.

Однако, несмотря на значительные успехи в производстве ферритовых запоминающих сердечников, камнем преткновения является сборка их в запоминающие матрицы, которая по сути своей — продеванию через каждый сердечник нескольких проводов — не может быть включена в единый технологический процесс изготовления ЗУ. Тем самым тороидальные сердечники не позволяют значительно удешевить производство памятей. Попытки снизить стоимость ЗУ при повышении быстродействия и снижении мощности возбуждения привели к созданию сердечников с малым внутренним отверстием 0,25-лш и сравнительно большим внешним диаметром 1,27 мм. Высота сердечника по образующей составляет 0,25 мм. Такое соотношение внутреннего диаметра и внешнего, равное 0,2, является отступлением от традиционного отношения, величина которого лежит в районе 0,6. Последнее сложилось как компромисс между желанием получить бесконечно тонкий сердечник для наиболее полной реализации прямоугольности петли гистерезиса материала и желанием иметь достаточный выходной сигнал сердечника, его механическую прочность и технологичность прессования при производстве.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью