Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ)Цифровые интегральные схемы ТТЛ оказываются более быстродействующими по сравнению со схемами ДТЛ. Однако они обладают большей чувствительностью к помехам и меньшим объединением на входе и разветвлением на выходе. Это объясняется соответственно малым входным перепадом напряжения, необходимым для возбуждения клапанов ТТЛ, поскольку статическое падение напряжения коллектор — эмиттер во входном многоэмиттерном транзисторе очень мало, и наличием перераспределения тока в логических цепях клапанов ТТЛ. Явление перераспределения тока вызывается тем, что в многоэмиттерном входном транзисторе существует инверсное усиление по току в режиме, когда один из входных эмиттеров служит в качестве коллектора.

При этом через него и через соединенный с ним входной эмиттер многоэмиттерного транзистора другого клапана течет ток, уменьшающий ток возбуждения выходного инвертирующего транзистора этого клапана и ограничивающий разветвление на выходе.

Перераспределение тока может возникать по двум причинам: из-за разброса напряжений база — эмиттер выходных транзисторов клапанов или в результате разницы между напряжением база — эмиттер и напряжением коллектор — эмиттер выходных транзисторов в режиме насыщения. Как показано, упомянутые причины приводят к тому, что возникает неравенство базовых напряжений входных многоэмиттерных транзисторов у двух включенных клапанов, входные эмиттеры которых подсоединены к общему выходу выключенного клапана (транзистор Т5).

Читайте так же:

Комментарии запрещены.