Проблема помех

Проблема помехНаиболее часто для цепей задержки и запоминания используются конденсаторы, усилители с емкостной обратной связью, транзисторы и диоды, обеспечивающие запоминание сигнала и его задержку с помощью накопления неосновных носителей. Иногда эта проблема решается путем использования пары триггеров на один двоичный разряд; при этом информация с выхода логической цепи принимается сначала в основной триггер, а затем передается во вспомогательный, с выхода которого и поступает на входы цифровых логических цепей. Знание величины запаса от помех цифровых интегральных схем позволяет оценивать и сравнивать их с точки зрения помехозащищенности; при этом, однако, нужно точно знать, при каких условиях производилось измерение запаса от помех, иначе правильное сравнение будет невозможно, так как запас от помех зависит от температурных условий работы схем, от величины питающих напряжений и от особенностей включения цифровых интегральных схем.

Измерение времени задержки распространения производится или на уровнях запаса от помех на переменном токе, определяющих границы единичного усиления на переменном токе для импульсов данной формы, или на пороговых уровнях, или на уровне 50% перепада напряжения между уровнями максимального 0 и минимальной 1 , который для быстродействующих схем обычно служит пороговым уровнем между нулевым и единичным состояниями.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью