Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Органические диоды

Органические диодыИзготовление больших диодных матриц, служащих в качестве ПЗУ, экономически целесообразно в том случае, когда разработан недорогой технологический процесс, позволяющий формировать диоды приемлемых размеров одновременно для всей матрицы. Исходя из этих соображений, исследуется вакуумное напыление органического полупроводникового вещества фталоцианина меди. Дополнительным преимуществом этого полупроводника является возможность его напыления на гибкие подложки, что позволяет легко собирать карты в пачки и повышает устойчивость ПЗУ к ударным и прочим механическим воздействиям.

Фталоцианин меди является внутренним слоем в трехслойной диодной структуре. Наружными слоями этой структуры являются металлические анод и катод.

До сих пор производство органических диодов еще не обеспечивает удовлетворительной повторяемости их характеристик, так что эти приборы пока нельзя считать пригодными для практических устройств. Для проверки их работы использовались карты емкостью в 10 двоичных знаков.

Диоды на картах имели площадь 3,5 мм2 и характеризовались коэффициентом выпрямления приблизительно 105, паразитной емкостью от 50 до 100 пф и падением напряжения в прямом направлении порядка 1,5 в при токе 2 ма. Диодное ПЗУ описанного типа представляет известный интерес, так как при соответствующим образом разработанной технологии позволит получать удобные в применении и дешевые в производстве запоминающие устройства.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.