Матрица компонентов

Матрица компонентовОтличительной особенностью цифровых интегральных схем транзисторной логики с эмиттерными связями является то, что все транзисторы, используемые в этих схемах, работают только в активной области и не входят в насыщение. Благодаря этому время переключения транзисторов уменьшается, обеспечивая повышение быстродействия цифровых интегральных схем ТЛЭС и создание особенно быстродействующих цифровых аэрокосмических систем. В настоящее время цифровые интегральные схемы транзисторной логики с эмиттерными связями выпускаются несколькими фирмами, однако основной фирмой является фирма Motorola, цифровые интегральные схемы 300-й серии которой и будут рассматриваться далее.

Он состоит из двух переключателей тока на транзисторах типа п-р-п, один из которых собран на транзисторах Г4, Т6, Тв, имеющих общие эмиттеры и коллекторы, а второй собран на транзисторе Т3. Входные сигналы Uu U2 и U3 подаются на базы транзисторов первого переключателя тока, а база транзистора Т3 второго переключателя тока подсоединяется к источнику напряжения смещения, выходной уровень напряжения которого U6 находится посредине между уровнями напряжений логического О и логической 1. В результате, если на базу одного или нескольких входных транзисторов подан высокий уровень логической 1, ток проходит через первый переключатель тока, разветвляясь в цепи соответствующих входных транзисторов, имеющих общий эмиттер, и вновь собираясь на общем коллекторе этих транзисторов, и далее через резистор RK. Если на всех базах входных транзисторов Т4, Т6, Т6 имеется низкий уровень логического О, ток 4 проходит через второй переключатель тока на транзисторе Т3 и через резистор RK2.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →