Импульс возврата

Импульс возвратаОписанный матричный дешифратор характеризуется экономичной и простой схемой прошивки проводами управления, но каждый возбудитель должен давать полную мощность, требуемую для переключения сердечника; требования к прямоугольности петли гистерезиса для надежной работы довольно высокие и при выходе из строя одного возбудителя дешифратор становится неработоспособным. В этом отношении выгодно отличается от представленного выше другой класс матричных дешифраторов, получивший название класса дешифраторов с разделенной нагрузкой (второй вариант). Второй вариант.

При построении одного из видов дешифраторов с разделенной нагрузкой 2 сердечников прошиваются 2(2) проводами, причем каждый провод имеет свой возбудитель. Правило прошивки для общего случая.

За исходную матрицу можно принять матрицу, построенную для дешифратора на 8 входов и 4 выхода. Пользуясь указанными правилами, можно построить матрицы на 8, 16, 32 и т. д. выходов.

В качестве примера дана матрица на 8 выходов и 16 входов. Каждый сердечник дешифратора прошивается 8 проводами в одном направлении и 8 проводами в другом.

Для переключения требуемого сердечника двуполярными импульсами вначале возбуждаются 8 проводов, пронизывающих его в одном направлении, затем 8 проводов, проходящих через него в другом направлении.

При этом выбранный сердечник получает двуполярную м. д. с. возбуждения, в 8 раз большую, чем м. д. с, создаваемая одним возбудителем.

Все остальные невыбранные сердечники дешифратора получают нулевое возбуждение. Таким образом, нагрузка, каковой является выбранный сердечник, делится поровну между возбудителями.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →