Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Базовые выводы

Базовые выводыИнтегральные компоненты на главной матрице изготовляются методом трехкратной диффузии и изолированы друг от друга, за исключением транзисторов типа р-п-р, у которых общим коллектором является подложка р-типа. Во время первой, коллекторной, диффузии n-типа изготовляются коллекторы п-р-п транзисторов, базы р-п-р транзисторов, изолирующие области резисторов, а также области конденсаторов и перемыкающих каналов. Чтобы базовая область транзистора р-п-р получилась достаточно тонкой, первая диффузия разделяется на два этапа; при этом база транзистора р-п-р изготовляется во время второго этапа диффузии, в то время как все остальные перечисленные части компонентов изготовляются во время первого и второго этапов.

Благодаря этому сопротивление насыщения п-р-п транзисторов получается достаточно малым, а усиление по току р-п-р транзисторов — достаточно большим. Во время второй, базовой, диффузии р-типа формируются базы п-р-п транзисторов, эмиттеры р-п-р транзисторов, резисторы и области конденсаторов.

Во время третьей, эмиттерной, диффузии я+-типа изготовляются эмиттеры п-р-п транзисторов, коллекторные контактные кольца п-р-п транзисторов, области перемыкающих каналов с малым сопротивлением и области конденсаторов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.