Интегральные компоненты на главной матрице изготовляются методом трехкратной диффузии и изолированы друг от друга, за исключением транзисторов типа р-п-р, у которых общим коллектором является подложка р-типа. Во время первой, коллекторной, диффузии n-типа изготовляются коллекторы п-р-п транзисторов, базы р-п-р транзисторов, изолирующие области резисторов, а также области конденсаторов и перемыкающих каналов. Чтобы базовая область транзистора р-п-р получилась достаточно тонкой, первая диффузия разделяется на два этапа; при этом база транзистора р-п-р изготовляется во время второго этапа диффузии, в то время как все остальные перечисленные части компонентов изготовляются во время первого и второго этапов.
Благодаря этому сопротивление насыщения п-р-п транзисторов получается достаточно малым, а усиление по току р-п-р транзисторов — достаточно большим. Во время второй, базовой, диффузии р-типа формируются базы п-р-п транзисторов, эмиттеры р-п-р транзисторов, резисторы и области конденсаторов.
Во время третьей, эмиттерной, диффузии я+-типа изготовляются эмиттеры п-р-п транзисторов, коллекторные контактные кольца п-р-п транзисторов, области перемыкающих каналов с малым сопротивлением и области конденсаторов.