Запас от помех

Запас от помехПомимо величины запаса от помех, существенную роль играет величина выходного импеданса цифрового логического клапана. Большой выходной импеданс способствует появлению больших импульсов помех. Интегральные схемы клапанов с низким выходным импедансом обладают меньшей чувствительностью к импульсным помехам и при одинаковом запасе от помех обеспечивают создание более надежных систем.

Если логические выходы триггера такие же, как у цифровых логических клапанов, то и запас от помех для триггера будет определяться приблизительно так же, как определяется запас от помех для клапанов.

Однако триггерные схемы значительно более разнообразны, чем схемы цифровых логических клапанов, и требуют отдельных исследований для определения запаса от помех на входах, включая запас от помех на стробирующем входе. Проблема помех, вызывающих ложные срабатывания триггера, обычно решается с помощью некоторой запоминающей или задерживающей цепи на входе или выходе триггера.

При этом необходимо учитывать не только возможность возникновения на входах триггеров помех, вызываемых внешними причинами, но и возможность возникновения выбросов выходного напряжения логических цифровых клапанов в цифровой логической цепи. Цепи задержки или запоминания, используемые в триггере, должны также обеспечить неизменность входных сигналов, подаваемых на триггер во время его переброса в моменты стробирования, поскольку из-за разброса времени срабатывания триггеров возможны случаи, когда выходные сигналы триггеров, срабатывающих быстрее, будут влиять на выходные сигналы триггеров, срабатывающих медленнее, приводя к искажению этих входных сигналов и к неправильному установлению состояния более медленно срабатывающих триггеров.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью