Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Высокое пробивное напряжение

Высокое пробивное напряжениеВ области р-типа существует высокая плотность дырок, а в области п-типа — высокая плотность электронов. В самом переходе существует область пространственного заряда, имеющая положительный заряд на одной стороне и отрицательный на другой, — так называемый запорный слой.

При условиях теплового равновесия большое электрическое поле, возникающее в запорном слое, препятствует диффузии дырок в область n-типа и диффузии электронов в область р-типа. Область пространственного заряда в р-п переходе ведет себя подобно конденсатору.

Ширина запорного слоя эквивалентна расстоянию между пластинами конденсатора, в котором диэлектриком является кремний. Характерным свойством кремниевых р-п переходов является расширение запорного слоя в область с меньшей концентрацией примесей (с большим сопротивлением слоя).

Кроме того, ширина запорного слоя зависит от напряжения. В результате, емкость конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, пропорциональна корню квадратному из величины концентрации примесей на менее легированной стороне и изменяется в зависимости от напряжения на переходе U как U~xl2 для ступенчатого перехода и U~1 — для постепенного перехода.

Ступенчатый переход обычно образуется путем эпитаксиального выращивания, а постепенный — путем диффузии.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.