Оборудование

Высокое пробивное напряжение

Высокое пробивное напряжениеВ области р-типа существует высокая плотность дырок, а в области п-типа — высокая плотность электронов. В самом переходе существует область пространственного заряда, имеющая положительный заряд на одной стороне и отрицательный на другой, — так называемый запорный слой.

При условиях теплового равновесия большое электрическое поле, возникающее в запорном слое, препятствует диффузии дырок в область n-типа и диффузии электронов в область р-типа. Область пространственного заряда в р-п переходе ведет себя подобно конденсатору.

Ширина запорного слоя эквивалентна расстоянию между пластинами конденсатора, в котором диэлектриком является кремний. Характерным свойством кремниевых р-п переходов является расширение запорного слоя в область с меньшей концентрацией примесей (с большим сопротивлением слоя).

Кроме того, ширина запорного слоя зависит от напряжения. В результате, емкость конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, пропорциональна корню квадратному из величины концентрации примесей на менее легированной стороне и изменяется в зависимости от напряжения на переходе U как U~xl2 для ступенчатого перехода и U~1 — для постепенного перехода.

Ступенчатый переход обычно образуется путем эпитаксиального выращивания, а постепенный — путем диффузии.

Комментарии запрещены.