Тонкопленочные конденсаторы

Тонкопленочные конденсаторыТонкопленочные конденсаторы имеют очень хорошие характеристики, прежде всего, благодаря тому, что их изоляция от подложки достигается не смещенным в обратном направлении р-п переходом, а с помощью слоя Si02, выращенного на кремниевой подложке и имеющего достаточную толщину. Паразитная емкость относительно подложки у тонкопленочного конденсатора получается на порядок чем у Двух ранее рассмотренных типов Паразитное последовательное сопротивление у конденсаторов также мало, поскольку обе пластины конденсатора изготавливаются из алюминиевой пленки и не используют полупроводниковых слоев. Благодаря изоляции от подложки слоем двуокиси кремния, обе пластины тонкопленочного конденсатора имеют высокое напряжение пробоя, достигающее нескольких сотен вольт.

Тонкопленочный конденсатор может обеспечить получение удельной емкости до 900 пф/мм2, когда в качестве диэлектрика применяется Si02, и до 3500 пф/мм2, когда диэлектриком являете я Та205. Величина емкости тонкопленочного конденсатора совершенно не зависит от величины и полярности поданного на него напряжения и гораздо более стабильна, чем у двух других типов конденсаторов.

Точность тонко плен очных конденсаторов обычно составляет 5-10%. Тонкопленочные конденсаторы имеют высокую температурную стабильность: температурный коэффициент у конденсатора с изолятором из Si02 лежит в диапазоне 0,0006+0,003%/° С. Тонкопленочные конденсаторы обладают хорошей частотной стабильностью и имеют малый тангенс угла диэлектрических потерь tg6 на высоких частотах.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью