Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Толщина осаждаемой нихромовой пленки

Толщина осаждаемой нихромовой пленкиВысокое пробивное напряжение на подложку позволяет использовать тонкопленочные резисторы при напряжениях в несколько сот вольт. Таким образом, тонкопленочные резисторы особенно полезны в тех случаях, когда требуются стабильные и точные сопротивления (различные стабильные усилители), большие номиналы сопротивлений (схемы, работающие с малыми токами) и когда требуются резисторы, имеющие хорошие частотные характеристики (высокочастотные усилительные и переключающие схемы). Применение тонкопленочных резисторов позволяет улучшить характеристики активных кремниевых интегральных компонентов.

Однако требование дополнительных этапов производства приводит к удорожанию интегральных схем, использующих тонкопленочные резисторы. Конденсаторы В интегральных схемах применяются три основных типа конденсаторов: конденсаторы, образованные смещенным в обратном направлении р-п переходом, металлокисно-полупроводниковые конденсаторы и тонкопленочные конденсаторы.

Конденсаторы, образованные смещенным в обратном направлении р-п переходом. Электронно-дырочный переход, смещенный в обратном направлении, обладает заметными емкостными свойствами [10, 20-22, 24, 28, 29, 31, 32J.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.