Температурная зависимость диффузионных резисторов

Температурная зависимость диффузионных резисторовЭти каналы служат для образования перемычек в местах пересечений проводников, расположенных на поверхности полупроводниковой интегральной схемы. Для получения малого сопротивления обычно используют коллекторную область и эмиттерную транзисторную диффузию при малом отношении.

Интегральные диффузионные резисторы, изготовленные базовой диффузией р-типа, имеют сопротивление слоя 100- 300 ом/квадрат, сопротивление на 1 мм2 поверхности подложки (при ширине резистора 25 мкм и зазоре между резисторами 25 мкм) 80-230 ком/мм2, температурный коэффициент 0,12-0,3%/° С, рассеяние мощности на 1 мм2 активной поверхности резистора 4,6 вт/мм2. Резисторы, изготовленные эмиттерной диффузией, имеют сопротивление слоя 2,5 ом/квадрат, сопротивление на 1 мм2 поверхности подложки 1,9 ком мм2. температурный коэффициент 0,01%/° С. Рассеяние мощности на 1 мм2 активной поверхности резистора равно 4,6 вт/мм2. Диффузионные резисторы, изготовленные базовой диффузией, выдерживают напряжение в несколько десятков вольт, а изготовленные эмиттерной диффузией — лишь около 6 в. Диффузионные резисторы обычно имеют допуск на величину абсолютного сопротивления +20% (при +25° С). Точность же согласования относительных величин сопротивлений резисторов, расположенных в одной интегральной схеме, обычно составляет около +1-3%, а точность согласования температурных характеристик этих резисторов достигает ±1% в диапазоне температур от -55° С до + 125° С.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.