Сопротивление области

Сопротивление областиЭпитаксиальный метод изоляции обеспечивает расширение возможностей при проектировании интегральных схем и получение приборов с улучшенными параметрами, что достигается за счет увеличения числа производственных этапов. Эпитаксиальный метод позволяет сначала продиффундировать в кремниевую пластину из исходного материала р-типа сильно легированные слои, которые могут затем служить в качестве утопленных внутрь слоев кремния с высокой проводимостью в коллекторных областях транзисторов, обеспечивая снижение коллекторного напряжения транзисторов в режиме насыщения.

Вместо фосфора в этом случае должны использоваться другие легирующие примеси, имеющие малую скорость диффузии, обеспечивающую стабильное положение утопленного во время последующих операций эпитаксиального выращивания и диффузии.

Кроме того, утопленный слой п+-типа может выращиваться и эпитаксиально.

В этом случае он образуется на всей поверхности кремниевой пластины с проводимостью р-типа.

После образования утопленных слоев па всей поверхности кремниевой пластины производится эпитаксиальное выращивание слоя и-типа, а затем сверху производится диффузия изолирующих границ р+-типа, образующих островки, изолированные смещенными в обратном направлении р-п переходами. Однако в сравнении с первым методом изоляции требуемая глубина диффузии р-типа значительно уменьшается, что приводит к укорочению времени диффузии и уменьшению площади, занимаемой изоляцией.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.