Ширина запорного слоя

Ширина запорного слояТипичная зависимость величины удельной емкости, приходящейся на единицу площади, от напряжения на переходе, смещенном в обратном направлении, для различных переходов, используемых при производстве активных полупроводниковых интегральных компонентов. Как и в случае резисторов, оптимальные параметры конденсаторов, образованных переходами, могут быть получены путем диффузии и эпитаксиального выращивания, но практически используют те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов.

Общий вид и поперечное сечение конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, аналогичным транзисторному переходу база — коллектор.

Там же показана его эквивалентная схема с сосредоточенными параметрами и зависимость передаточного отношения емкостей С2/С4 (полезной емкости к паразитной) от потенциала в точке В. Диод Д2 является необходимым диодом, с которым связана полезная емкость С2. Диод Д4 и связанная с ним емкость Ci являются паразитными и образуются смещенным в обратном направлении изолирующим р-п переходом. R — объемное сопротивление, связанное в данном случае с областью n-типа.

Поскольку в конденсаторе, образованном переходом, всегда существует смещение в обратном направлении, паразитный р-п-р транзистор, присоединенный к подложке, здесь несуществен. Отношение емкостей равно всего нескольким единицам и зависит от напряжения, что должно учитываться при разработке интегральных схем.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью