Типичная зависимость величины удельной емкости, приходящейся на единицу площади, от напряжения на переходе, смещенном в обратном направлении, для различных переходов, используемых при производстве активных полупроводниковых интегральных компонентов. Как и в случае резисторов, оптимальные параметры конденсаторов, образованных переходами, могут быть получены путем диффузии и эпитаксиального выращивания, но практически используют те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов.
Общий вид и поперечное сечение конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, аналогичным транзисторному переходу база — коллектор.
Там же показана его эквивалентная схема с сосредоточенными параметрами и зависимость передаточного отношения емкостей С2/С4 (полезной емкости к паразитной) от потенциала в точке В. Диод Д2 является необходимым диодом, с которым связана полезная емкость С2. Диод Д4 и связанная с ним емкость Ci являются паразитными и образуются смещенным в обратном направлении изолирующим р-п переходом. R — объемное сопротивление, связанное в данном случае с областью n-типа.
Поскольку в конденсаторе, образованном переходом, всегда существует смещение в обратном направлении, паразитный р-п-р транзистор, присоединенный к подложке, здесь несуществен. Отношение емкостей равно всего нескольким единицам и зависит от напряжения, что должно учитываться при разработке интегральных схем.