Сечение конденсатора

Сечение конденсатораПоследовательное сопротивление R ухудшает добротность Q такого конденсатора до величины, находящейся в пределах 1-10, что наряду с малым передаточным отношением емкостей C2/Ci затрудняет использование таких конденсаторов на высоких частотах. При этом тангенс угла диэлектрических потерь для конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, уже на частоте 1 Мгц достигает величины 0,1. В то же время такой конденсатор позволяет увеличить отношение полезной емкости к паразитной C2/Ci и довести его до 10- А), ичень часто такой конденсатор используется и в качестве перемыкающего канала, аналогичного показанному на Иногда в качестве конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, используется транзистор, у которого коллектор соединяется с эмиттером и служит одним выводом конденсатора, а другим выводом является база.

Это дает проектировщику интегральных схем возможность использовать в одних схемах прибор как транзистор, а в других как конденсатор. Таким образом, конденсаторы, образованные смещенным в обратном направлении р-п переходом, имеют характеристики, ограничивающие их применение в высокочастотных переключающих и, особенно, усилительных схемах.

Однако простота изготовления таких конденсаторов обеспечивает их широкое применение в схемах, работающих на частотах до 10 Мгц, особенно, если допускается разброс емкости конденсатора и зависимость ее от напряжения.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью