Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Полупроводниковые резисторы используют объемное омическое сопротивление слоя полупроводникового материала, имеющего определенную степень легирования, определенную геометрическую форму и изолированного от остальной подложки.

Как правило, полупроводниковые резисторы изготавливаются одновременно с активными компонентами интегральных схем и используют все те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов, что, конечно, приводит к некоторому ухудшению характеристик резисторов.

Для изготовления полупроводниковых резисторов можно использовать слои исходного кремния, диффузионные и эпитаксиальные коллекторные слои и слои, образованные базовой и эмиттерной диффузией.

Однако наиболее часто резисторы изготовляются во время базовой диффузии р-типа в коллекторную область п-типа. Такие резисторы обычно называют диффузионными.

Диффузионный резистор является планарным прибором и обычно представляет собой прямоугольный слой полупроводникового материала, на концах которого сделаны алюминиевые выводы, выходящие на поверхность интегральной схемы.