Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Применение метода диэлектрической изоляции

Применение метода диэлектрической изоляцииВ интегральных схемах широко используются резисторы 2-х типов: полупроводниковые и тонкопленочные. Полупроводниковые резисторы.

Полупроводниковые резисторы используют объемное омическое сопротивление слоя полупроводникового материала, имеющего определенную степень легирования, определенную геометрическую форму и изолированного от остальной подложки.

Как правило, полупроводниковые резисторы изготавливаются одновременно с активными компонентами интегральных схем и используют все те же процессы, которые применяются для изготовления интегральных транзисторов, что, конечно, приводит к некоторому ухудшению характеристик резисторов.

Для изготовления полупроводниковых резисторов можно использовать слои исходного кремния, диффузионные и эпитаксиальные коллекторные слои и слои, образованные базовой и эмиттерной диффузией.

Однако наиболее часто резисторы изготовляются во время базовой диффузии р-типа в коллекторную область п-типа. Такие резисторы обычно называют диффузионными.

Диффузионный резистор является планарным прибором и обычно представляет собой прямоугольный слой полупроводникового материала, на концах которого сделаны алюминиевые выводы, выходящие на поверхность интегральной схемы.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.