Потери для конденсатора

Потери для конденсатораМеталл-окисно-полупроводниковые (МОП) конденсаторы. Общий вид, поперечное сечение, эквивалентная схема и передаточное отношение емкостей С2/С1; полезной емкости и паразитной, для металл-окисно-полупроводникового конденсатора.

Одной пластинойконденсатора является пленка алюминия, осажденная на двуокись кремния, а другой пластиной служит находящийся под ней слой сильно легированного кремния п + — типа, образованный эмиттерной диффузией. Диэлектриком в металл-окисно-полупроводниковом конденсаторе является двуокись кремния.

Величина емкости определяется площадью и толщиной слоя двуокиси кремния.

Для увеличения емкости желательно использовать тонкий слой двуокиси кремния, однако при этом возрастает опасность коротких замыканий при изготовлении интегральных схем.

Поэтому удельная емкость обычно не превышает нескольких сот пф/мм2. Металло-окисно-полупроводниковые конденсаторы имеют ряд преимуществ по сравнению с конденсаторами, образованными смещенными в обратном направлении р-п переходами. Они неполярны, более стабильны, емкость не зависит от напряжения.

Температурный коэффициент МОП конденсатора может быть сделан меньше 0,03%/° С. Применение сильно легированного слоя п+-типа снижает последовательное паразитное сопротивление конденсатора R до 5-10 ом, благодаря чему можно получить добротность, достигающую нескольких сотен.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью