Полевые транзисторы

Полевые транзисторыНесмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например, изготовленная двумя эпитаксиальными выращиваниями и четырьмя диффузиями. Металл-окисно-полупроводниковые (МОП) транзисторы. Отличительной чертой интегральных планарных металл-окисно-полупроводниковых полевых транзисторов, является наличие металлического затвора, изолированного от полупроводниковой кремниевой пластины, в которой формируется канал, слоем двуокиси кремния.

Имеется два вида МОП транзисторов: с обогащением и с обеднением канала. МОП транзистор с обогащением, иногда называемый нормально выключенным, состоит из двух сильно легированных областей (истока и стока), расположенных рядом друг с другом в материале с проводимостью противоположного типа.

Область между истоком и стоком образует канал, покрытый сверху для изоляции слоем двуокиси кремния, на котором находится металлизированная область затвора, перекрывающая весь канал. При отсутствии напряжения на затворе исток и сток образуют два направленных в разные стороны диода, в результате чего имеется мало носителей и ток канала ограничивается утечками диодов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.