Подсоединение интегральной структуры

Подсоединение интегральной структурыВ этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи. Совсем по-другому обстоит дело, когда в качестве интегральных компонентов используются области монокристаллического кремния. В этом случае необходима специальная изоляция, причем методы изоляции интегральных компонентов оказывают существенное влияние на характеристики компонентов и параметры всей интегральной схемы в целом.

Можно выделить два основных типа изоляции полупроводниковых интегральных компонентов, наиболее широко используемых в настоящее время: изоляция смещенным в обратном направлении р-п переходом и изоляция диэлектриком. В первом случае между интегральными компонентами или группами интегральных компонентов подлежащих изоляции, и подложкой создается о-п переход Интегральная схема проектируется так, что в любом режиме работы этот р-п переход оказывается смещенным в обратном направлении, обеспечивая изоляцию от подложки.

Во втором случае изолируемые интегральные компоненты или группы интегральных компонентов окружаются слоем диэлектрика. Возможно, впрочем, и комбинированное применение сразу обоих методов изоляции.

Методы изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Метод изолирующей диффузии. При этом методе образование изолирующего р-п перехода в кремниевой пластине n-типа, например, достигается путем диффузии примеси р-типа с обеих сторон этой пластины.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.