Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Подсоединение интегральной структуры

Подсоединение интегральной структурыВ этом случае все компоненты автоматически изолированы друг от друга, и между компонентами существуют только незначительные паразитные связи. Совсем по-другому обстоит дело, когда в качестве интегральных компонентов используются области монокристаллического кремния. В этом случае необходима специальная изоляция, причем методы изоляции интегральных компонентов оказывают существенное влияние на характеристики компонентов и параметры всей интегральной схемы в целом.

Можно выделить два основных типа изоляции полупроводниковых интегральных компонентов, наиболее широко используемых в настоящее время: изоляция смещенным в обратном направлении р-п переходом и изоляция диэлектриком. В первом случае между интегральными компонентами или группами интегральных компонентов подлежащих изоляции, и подложкой создается о-п переход Интегральная схема проектируется так, что в любом режиме работы этот р-п переход оказывается смещенным в обратном направлении, обеспечивая изоляцию от подложки.

Во втором случае изолируемые интегральные компоненты или группы интегральных компонентов окружаются слоем диэлектрика. Возможно, впрочем, и комбинированное применение сразу обоих методов изоляции.

Методы изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Метод изолирующей диффузии. При этом методе образование изолирующего р-п перехода в кремниевой пластине n-типа, например, достигается путем диффузии примеси р-типа с обеих сторон этой пластины.

Комментарии запрещены.