Толщина осаждаемой нихромовой пленки колеблется от 100 до 1000 ангстрем в зависимости от необходимой величины сопротивления слоя. Стабильность величины сопротивления достигается термообработкой, обеспечивающей получение на поверхности достаточно толстой защитной окисной пленки. Типичные резисторы полностью совместимы с полупроводниковыми активными компонентами и имеют сопротив-46 ление слоя 15-800 ом/квадрат, а температурный коэффициент меньше, чем ±0,005%/° С. Сопротивление на 1 мм2 поверхности подложки (при ширине резистора 25 мкм и зазоре между резисторами 25 мкм) равно 16-620 ком/мм, рассеяние мощности на 1 мм2 активной поверхности резистора достигает 3,1 вт/мм2. Нихромовые резисторы исключительно стабильны во времени, изменяясь меньше чем на 1 % в течение 5000 час (герметизированные NiCr резисторы в течение этого срока изменяются всего на 0,1 %), и имеют низкий уровень шумов.
По своим частотным характеристикам тонкопленочные резисторы значительно превосходят диффузионные резисторы использующие изоляцию смещенным в обратном направлении р-п переходом, а также диффузионные резисторы с диэлектрической изоляцией; они могут работать при частотах, доходящих до нескольких сот мегагерц. Это объясняется тем, что распределенная емкость резистора относительно подложки у тонкопленочного резистора на порядок меньше, чем у диффузионного резистора с изоляцией р-п переходом.