Емкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Типичные пределы полной эквивалентной емкости, получающейся на выводах эквивалентного диода, составляют 1-10 пф. Прямые характеристики диодов также зависят от схемы включения, хотя для всех пяти вариантов разница будет не особенно большой. Как и в случае транзисторов, при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, на подложку р-типа должно быть подано самое отрицательное, а на подложку n-типа самое положительное напряжение, которые препятствовали бы смещению изолирующего перехода в прямом направлении и уменьшали его емкость.
При использовании транзисторной структуры в качестве Диода, так же как и для случая интегрального транзистора, образуется паразитный транзистор, присоединенный к подложке (р-п-р для п-р-п транзистора и п-р-п для р-п-р транзистора), если применяется изоляция р-п переходом.
Применение метода диэлектрической изоляции позволяем полностью устранить паразитные влияния и получить диоды с отличными характеристиками, а открывающиеся при этом возможности выборочного легирования золотом позволяют легко получать в одной структуре быстрые и медленные диоды.
Применение в качестве полупроводникового материала кремния позволяет довольно легко создавать опорные диоды, для чего чаще всего используется базово-эмиттерный переход. При этом нетрудно получить интегральные приборы, имеющие напряжение стабилизации 6-10 в с точностью ±10%.