Напряжение пробоя

Напряжение пробояЕмкость диодных структур зависит от геометрии, концентрации присадок и приложенного напряжения. Типичные пределы полной эквивалентной емкости, получающейся на выводах эквивалентного диода, составляют 1-10 пф. Прямые характеристики диодов также зависят от схемы включения, хотя для всех пяти вариантов разница будет не особенно большой. Как и в случае транзисторов, при использовании изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом, на подложку р-типа должно быть подано самое отрицательное, а на подложку n-типа самое положительное напряжение, которые препятствовали бы смещению изолирующего перехода в прямом направлении и уменьшали его емкость.

При использовании транзисторной структуры в качестве Диода, так же как и для случая интегрального транзистора, образуется паразитный транзистор, присоединенный к подложке (р-п-р для п-р-п транзистора и п-р-п для р-п-р транзистора), если применяется изоляция р-п переходом.

Применение метода диэлектрической изоляции позволяем полностью устранить паразитные влияния и получить диоды с отличными характеристиками, а открывающиеся при этом возможности выборочного легирования золотом позволяют легко получать в одной структуре быстрые и медленные диоды.

Применение в качестве полупроводникового материала кремния позволяет довольно легко создавать опорные диоды, для чего чаще всего используется базово-эмиттерный переход. При этом нетрудно получить интегральные приборы, имеющие напряжение стабилизации 6-10 в с точностью ±10%.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью