Метод трехкратной диффузии

Метод трехкратной диффузииПри этом методе исходный материал кремниевой пластины может иметь высокое сопротивление, порядка 1 ом-см или выше, приводя к уменьшению емкости изолирующего перехода на единицу поверхности. Кроме того, сама поверхность изолирующего перехода в этом случае будет меньше. Действительно, для изготовления интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ь изолированного острова также могут быть взяты равными 70 и ПО мкм. Тогда при глубине диффузии х,- = 30 мкм и типичных значениях концентрации примесей в теле кремния и на поверхности изолированного острова полная емкость изолированного острова относительно подложки составит всего 3 пф. Изоляция этого типа может выдерживать высокое пробивное напряжение, если у поверхности, обладающей высоким сопротивлением области р-типа, не возникает инверсного слоя или канала.

Чтобы избежать их возникновения, необходимо продиффундировать вокруг изолированного острова дополнительный слой р-типа, так называемое защитное кольцо.

Обычно такая область диффундируется не отдельно, а во время последующих диффузий, используемых для изготовления транзисторов; это, однако, приводит к некоторому снижению пробивного напряжения и увеличению емкости перехода.

При данном способе изоляции достигается лучшее использование поверхности кремния, поскольку площадь, занимаемая изолирующей областью, определяется помимо размеров изолируемых компонентов только допусками, требуемыми для поддержания глубины диффузии.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.