Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Металло-окисно-полупроводниковые конденсаторы

Металло-окисно-полупроводниковые конденсаторыМеталл-окисно-полупроводниковый конденсатор имеет высокое напряжение пробоя на верхней пластине конденсатора, отделенной слоем Si02, в то время как напряжение пробоя на нижней пластине конденсатора по-прежнему определяется пробивным напряжением изолирующего перехода подложка — коллектор. Однако один из основных недостатков конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, полностью сохранился и у МОП конденсатора, это — большая паразитная емкость относительно подложки, вознйкающая, как и раньше, Из-за применения Изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.

Тонкопленочные конденсаторы. Тонкопленочный конденсатор получается путем осаждения тонкой пленки диэлектрика между двумя проводящими пленками, образующими пластины конденсатора.

Одна из этих пластин наносится на изолирующую подложку. В качестве диэлектрика для тонкопленочного конденсатора наиболее часто употребляются двуокись кремния (Si02) и окись тантала (Та206).

Особый интерес представляет тонкопленочный конденсатор, использующий для пластин пленку алюминия, а в качестве диэлектрика — смесь двуокиси кремния и окиси алюминия (Si02 + А1203). Такой тонкопленочный конденсатор можно использовать совместно с полупроводниковыми интегральными активными компонентами.

Он может изготовляться на двуокиси кремния, выращенной на поверхности кремниевой пластины, в которой до этого были сформированы транзисторы и диоды.

Комментарии запрещены.