Металл-окисно-полупроводниковый конденсатор имеет высокое напряжение пробоя на верхней пластине конденсатора, отделенной слоем Si02, в то время как напряжение пробоя на нижней пластине конденсатора по-прежнему определяется пробивным напряжением изолирующего перехода подложка — коллектор. Однако один из основных недостатков конденсатора, образованного смещенным в обратном направлении р-п переходом, полностью сохранился и у МОП конденсатора, это — большая паразитная емкость относительно подложки, вознйкающая, как и раньше, Из-за применения Изоляции смещенным в обратном направлении р-п переходом.
Тонкопленочные конденсаторы. Тонкопленочный конденсатор получается путем осаждения тонкой пленки диэлектрика между двумя проводящими пленками, образующими пластины конденсатора.
Одна из этих пластин наносится на изолирующую подложку. В качестве диэлектрика для тонкопленочного конденсатора наиболее часто употребляются двуокись кремния (Si02) и окись тантала (Та206).
Особый интерес представляет тонкопленочный конденсатор, использующий для пластин пленку алюминия, а в качестве диэлектрика — смесь двуокиси кремния и окиси алюминия (Si02 + А1203). Такой тонкопленочный конденсатор можно использовать совместно с полупроводниковыми интегральными активными компонентами.
Он может изготовляться на двуокиси кремния, выращенной на поверхности кремниевой пластины, в которой до этого были сформированы транзисторы и диоды.