Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Материал, используемый для образования выводов

Материал, используемый для образования выводовДля формирования выводов и внутрисхемных соединений интегральных компонентов на поверхность пластины кремния, покрытую слоем Si02, имеющим в нужных местах окна, в вакууме напыляется пленка А1, образующая нужное изображение внутрисхемных соединений и контактные пятачки для подсоединения внешних выводов. Соединительпая цепь имеет сопротивление в несколько сотых долей ома (при ширине 40 мкм) и емкость относительно подложки в несколько десятых долей пикофарады.

Подсоединение интегральной структуры к выводам корпуса чаще всего осуществляется методом термокомпрессионной сварки, т. е. соединением под давлением двух нагретых металлов. Соединение алюминиевого контактного пятачка с внешним выводом обычно производится с помощью золотой или алюминиевой проволочки диаметром в несколько десятков микрон, прижимаемой кварцевым капилляром, из которого она выходит сначала к алюминиевому контактному пятачку, а затем к выводу корпуса.

Таким образом, комбинация основных и вспомогательных полупроводниковых процессов позволяет сформировать в монокристаллической кремниевой пластине электронно-дырочные переходы и легированные области заданных размеров и свойств, используемые в качестве компонентов интегральных схем, и осуществить внутрисхемное соединение этих областей и подсоединение их к внешним выводам. Изоляция интегральных компонентов Интегральные схемы состоят из большого количества интегральных компонентов, которые необходимо изолировать друг от друга.

Изоляция легко достигается при использовании пленочных интегральных компонентов, осажденных на изолирующие подложки.

Комментарии запрещены.