Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Максимальная допустимая мощность

Максимальная допустимая мощностьКонтакты с нихромовыми резисторами осуществляются с помощью алюминиевых пленочных проводников, позволяющих осуществлять также внутрисхемные соединения и омические контакты с полупроводниковыми интегральными компонентами. Толщина алюминиевой пленки, используемой для контактных выводов, составляет несколько тысяч ангстрем. Нужное изображение алюминиевой пленки чаще всего получается путем травления через фоторезистивную маску.

Нихромовые резисторы изготовляются посредством вакуумного напыления нихромовой пленки через фоторезистивную или металлическую маску.

Чтобы состав пленки был постоянным, напыление производится от источника с большой массой.

Расстояние от подложки до источника поддерживается относительно большим, что обеспечивает единообразие пленки на всей поверхности подложки.

Поскольку пленки хрома имеют отрицательный температурный коэффициент, а пленки никеля — положительный, то совместное применение никеля и хрома позволяет получить нихромовые пленки с температурным коэффициентом, меньшим, чем ±0,005%/° С. Наличие хрома в составе материала резистора обеспечивает хорошее сцепление нихромовой пленки со слоем двуокиси кремния. В вакуумной камере можно контролировать величину сопротивления осаждаемых резисторов с точностью до 1%. Однако после попадания на воздух на поверхности пленки формируется стойкий окисный слой, увеличивающий сопротивление на несколько процентов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.