Логические цифровые клапаны с усилением по напряжению

Логические цифровые клапаны с усилением по напряжениюФактически существуют области передаточных характеристик, в результате чего пороговая точка становится пороговой зоной, а точки логического О и логической 1 становятся зоной логического О и зоной логической 1; при этом двоичное квантование сигнала по-прежнему будет происходить в том случае, если пороговая зона не будет перекрываться с зонами логического О и логической 1. Таким образом, применение цифровых логических схем с усилением по напряжению обеспечивает двоичное квантование сигналов в логической цепи клапанов, позволяющее использовать логические цепи любой необходимой длины и создающее относительную изоляцию между клапанами в такой цепи. Кроме того, двоичное квантование сигналов логическими клапанами с усилением по напряжению позволяет с их помощью осуществлять восстановление сигналов, прошедших через цепи логических клапанов с ослаблением по напряжению. В системе цифровых логических клапанов для получения необходимой надежности и достаточно быстрого достижения устойчивых точек логического О и логической 1 обычно задаются уровни максимального О и минимальной 1, определяющие границы, ниже и выше которых должны находиться уровни напряжений сигналов.

Уровни задаются для данной температуры и данных питающих напряжений.

В реальной системе на входных цепях клапанов могут появляться помехи, вызывающие изменение уровня напряжения на выходе клапана, в результате чего выходное напряжение может выйти за допустимые границы.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Даже самые большие плоскостные полевые транзисторы имеют входной... 
    Читать полностью

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое... 
    Читать полностью