Изоляция от подложки

Изоляция от подложкиКак и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Однако они уже находят практическое применение в сверхбыстродействующих переключающих схемах и в различных высокочастотных усилителях.

Пока в интегральных схемах нет индуктивных компонентов, имеющих практическое применение. Интегральные схемы проектируются так, чтобы обойтись без этих компонентов или используют дискретные трансформаторы и дроссели.

Полевые транзисторы имеют две основные разновидности: плоскостные полевые транзисторы и металлокисно-полупроводниковые полевые транзисторы.

Плоскостные полевые транзисторы. Интегральная структура, включающая планарный плоскостной полевой транзистор n-типа.

Плоскостной полевой транзистор имеет исток и сток, соединенные проводящим каналом, проводимость которого может модулироваться электрическим полем плоскостного диода затвор — канал, смещенного в обратном направлении.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.