Для этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к частым поломкам при обработке.
В результате диффузии получаются острова кремния n-типа, в которых можно изготавливать интегральные компоненты.
В заштрихованной области может располагаться интегральный прибор, например, транзистор. Если глубина изолирующей диффузии = 40 мкм, то для изоляции интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ъ изолированного острова с учетом допусков должны быть взяты равными 210 и 250 мкм. Для типичных значений концентраций примесей в теле кремния и на поверхности изолирующих областей полная емкость изолированного острова относительно подложки составит около 15 пф. Метод трехкратной диффузии.
Заключается в том, что в кремниевой пластине при диффузии создается сам изолированный остров, а не изолирующие области между островами. Этот метод дает несколько преимуществ.
Во-первых, позволяет легко получать под интегральным прибором, т. е. там, где это особенно необходимо, достаточно высокий уровень легирования, во-вторых, устраняет необходимость диффузии сквозь кремниевую пластину с двух сторон, позволяя применять более толстые пластины.
Благодаря этому ускоряется обработка и уменьшается вероятность поломок при обработке.