Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Интегральные компоненты а структуры

Интегральные компоненты а структурыДля этого пластина должна быть тонкой, примерно 75- 100 мкм, и ее толщина должна выдерживаться достаточно точно. Применение такой тонкой кремниевой пластины усложняет и удорожает производство, так как приводит к частым поломкам при обработке.

В результате диффузии получаются острова кремния n-типа, в которых можно изготавливать интегральные компоненты.

В заштрихованной области может располагаться интегральный прибор, например, транзистор. Если глубина изолирующей диффузии = 40 мкм, то для изоляции интегрального транзистора, имеющего размеры 70×110 мкм, размеры а и Ъ изолированного острова с учетом допусков должны быть взяты равными 210 и 250 мкм. Для типичных значений концентраций примесей в теле кремния и на поверхности изолирующих областей полная емкость изолированного острова относительно подложки составит около 15 пф. Метод трехкратной диффузии.

Заключается в том, что в кремниевой пластине при диффузии создается сам изолированный остров, а не изолирующие области между островами. Этот метод дает несколько преимуществ.

Во-первых, позволяет легко получать под интегральным прибором, т. е. там, где это особенно необходимо, достаточно высокий уровень легирования, во-вторых, устраняет необходимость диффузии сквозь кремниевую пластину с двух сторон, позволяя применять более толстые пластины.

Благодаря этому ускоряется обработка и уменьшается вероятность поломок при обработке.

Комментарии запрещены.