Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Интегральные диффузионные резисторы

Интегральные диффузионные резисторыМаксимальная допустимая мощность, рассеиваемая диффузионными резисторами, достаточно велика и определяется, в первую очередь, возможностями осуществления теплоотвода через корпус. Таким образом, диффузионные резисторы обеспечивают получение сопротивлений в диапазоне от единиц ом до нескольких десятков килоом. Абсолютные величины сопротивлений имеют сравнительно большой разброс от одного образца интегральной схемы к другому, но обеспечивается очень хорошее согласование относительных величин сопротивлений в одной интегральной схеме.

Тонкопленочные резисторы.

Тонкопленочные резисторы используют тонкую пленку материала с большим сопротивлением слоя, располагающуюся на изолирующей подложке,.

Выводы тонкопленочного резистора формируются путем использования проводящих тонких пленок.

Тонкопленочные резисторы могут осаждаться на различных подложках и использовать различные материалы, как, например, нихром, окись олова, металлокерамику, тантал, титан, поликристаллический кремний и др. Большой интерес представляют пленки из нихрома (NiCr), осаждаемого на двуокись кремния (Si02), поскольку эти пленки совместимые полупроводниковыми интегральными активными компонентами и могут осаждаться на кремниевых пластинах, в которых уже сформированы активные интегральные компоненты.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.