Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →

Диоды

ДиодыВремя переключения определяется профилем накопления неосновных носителей в диоде. Расположенные под кривыми, характеризуют запасенную энергию.

На основании этих кривых можно заключить, что диод, получающийся, если использовать в качестве катода эмиттер, а в качестве анода — соединенные вместе коллектор и базу, будет иметь наименьшее время переключения; диод, использующий в качестве катода соединенные вместе эмиттер и коллектор, а в качестве анода — базу, будет, с точки зрения быстродействия, наихудшим.

При этом типичный диапазон получающихся времен переключения составит от 10 до 100 нсек.

Применение легирования золотом может уменьшить время переключения до нескольких наносекунд.

В интегральных схемах очень часто возникает необходимость одновременного получения как быстрых, так и медленных диодов в одной кремниевой пластинке, что может быть достигнуто путем использования соответствующим образом соединенной транзисторной структуры.

Напряжение пробоя интегральных диодов определяется концентрацией примесей и уменьшается по мере увеличения. Наименьшее напряжение пробой, доходящее всего до 6 в, получается в эмиттернобазовом переходе, а наибольшее (до 100 б) в переходе коллектор — подложка.

Величина тока утечки сильно зависит от температуры и от степени легирования золотом.

Легирование золотом улучшает время переключения, но одновременно вызывает увеличение тока утечки.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.