Транзисторное действие может быть прекращено, если оба р-п перехода будут смещены в обратном направлении, для чего достаточно на подложку р-типа подать наиболее отрицательный, а на слой n-типа наиболее положительный из имеющихся в схеме потенциалов. Емкость между резистором и подложкой определяется емкостным эффектом запорного слоя и изменяется при изменении напряжения на резисторе. Хотя диффузионные резисторы, использующие изоляцию смещенным в обратном направлении р-п переходом, могут неплохо работать до частот порядка 10-20 Мгц, они имеют не особенно хорошие частотные характеристики при более высоких частотах, что объясняется, в первую очередь, паразитными влияниями изоляции посредством смещенного р-п перехода.
Применение же диэлектрической изоляции диффузионных резисторов позволяет получить резисторы, прекрасно работающие на частотах в несколько десятков мегагерц. Температурная зависимость диффузионных резисторов определяется в основном степенью легирования и видом примесей и, следовательно, изменяется при изменении сопротивления слоя.
В зависимости от вида примесей температурный коэффициент может быть положительным или отрицательным. Иногда возникает необходимость в изготовлении диффузионных резисторов, имеющих минимальное сопротивление, так называемых перемыкающих каналов.