Диффузионный резистор

Диффузионный резисторТранзисторное действие может быть прекращено, если оба р-п перехода будут смещены в обратном направлении, для чего достаточно на подложку р-типа подать наиболее отрицательный, а на слой n-типа наиболее положительный из имеющихся в схеме потенциалов. Емкость между резистором и подложкой определяется емкостным эффектом запорного слоя и изменяется при изменении напряжения на резисторе. Хотя диффузионные резисторы, использующие изоляцию смещенным в обратном направлении р-п переходом, могут неплохо работать до частот порядка 10-20 Мгц, они имеют не особенно хорошие частотные характеристики при более высоких частотах, что объясняется, в первую очередь, паразитными влияниями изоляции посредством смещенного р-п перехода.

Применение же диэлектрической изоляции диффузионных резисторов позволяет получить резисторы, прекрасно работающие на частотах в несколько десятков мегагерц. Температурная зависимость диффузионных резисторов определяется в основном степенью легирования и видом примесей и, следовательно, изменяется при изменении сопротивления слоя.

В зависимости от вида примесей температурный коэффициент может быть положительным или отрицательным. Иногда возникает необходимость в изготовлении диффузионных резисторов, имеющих минимальное сопротивление, так называемых перемыкающих каналов.

Читайте так же:

Комментарии запрещены.

Цифровые вычислительные средства оборудования самолетов
  • 24.08.2017
    Индуктивные компоненты

    Плоскостной транзистор имеет 3 важных особенности. Во-первых, малый ток затвора, или входной ток, являющийся током утечки смещенного в обратном направлении диода затвор — канал. Читать полностью  Читать полностью →

  • 21.08.2017
    Полевые транзисторы

    Несмотря на кажущуюся простоту, изготовление плоскостных полевых транзисторов, особенно в интегральных структурах вместе с обычными транзисторами, требует большого числа производственных этапов и приводит к дорогим и сложным структурам, как, например,... 
    Читать полностью

  • 18.06.2015
    Изоляция от подложки

    Как и в случае тонкопленочных резисторов, производство интегральных схем, содержащих полупроводниковые активные элементы и тонкопленочные конденсаторы, требует большего числа производственных этапов и более дорого. Читать полностью  Читать полностью →